S1525. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S1525

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO98-2

 Аналоги (замена) для S1525

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S1525 даташит

 0.1. Size:665K  magnachip
mds1525urh.pdfpdf_icon

S1525

MDS1525 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 16.9A, 10.1m General Description Features The MDS1525 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 30V DS Technology, which provides high performance in on-state ID = 16.9A @VGS = 10V resistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) quality. MDS1525 is suitable for DC/DC converter and

Другие транзисторы: S1381, S1382, S1383, S1420, S1423, S1429-3, S1502, S1516, A940, S1530, S15649, S1619, S1642, S1683, S1697, S1732, S1761A