S779T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S779T

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2800 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для S779T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S779T даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: S662T, S671T, S673T, S679T, S690T, S691T, S730T, S763T, 2SA1943, S790T, S791T, S876T, S879T, S920TS, S921TS, S922TS, S923TS