SDM5010. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDM5010

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для SDM5010

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SDM5010 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: SDM4015, SDM4016, SDM4017, SDM5001, SDM5002, SDM5003, SDM5005, SDM5006, A1015, SDM5011, SDM5012, SDM5013, SDM5014, SDM5015, SDM5016, SDM5017, SDT9201