SDM5013. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDM5013

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для SDM5013

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SDM5013 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: SDM5001, SDM5002, SDM5003, SDM5005, SDM5006, SDM5010, SDM5011, SDM5012, TIP3055, SDM5014, SDM5015, SDM5016, SDM5017, SDT9201, SDT9202, SDT9203, SDT9204