SE1001. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE1001

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO106

 Аналоги (замена) для SE1001

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SE1001 даташит

 0.1. Size:470K  cn sino-ic
 se100150g.pdf pdf_icon

SE1001

SE100150G N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low V =100V DS operation voltage. This device is suitable for R =3.5m @V =10V DS(ON) GS using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

 0.2. Size:399K  cn sino-ic
 se10015.pdf pdf_icon

SE1001

SE10015 N-Channel MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and V =100V DS low operation voltage. This device is R =67m @V =10V DS(ON) GS suitable for using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount De

 0.3. Size:289K  cn sino-ic
 se100130ga.pdf pdf_icon

SE1001

SE100130GA N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology and For a single MOSFET design to provide excellent R with low gate DS(ON) V =100V DS charge. R =4m @V =10V DS(ON) GS High density cell design for ultra low R DS(ON) Excellent package for good heat dissipation Pin configurations See Di

 0.4. Size:418K  cn sino-ic
 se100130a.pdf pdf_icon

SE1001

SE100130A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and V = 100V DS low operation voltage. This device is R =3.0m @V =10V DS(ON) GS suitable for using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SDT9303, SDT9304, SDT9305, SDT9306, SDT9307, SDT9308, SDT9309, SE0566, BC546, SE1002, SE1022, SE1730, SE2001, SE2002, SE3001, SE3002, SE3005