SE1002. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE1002

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO106

 Аналоги (замена) для SE1002

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SE1002 даташит

 0.1. Size:338K  cn sino-ic
se100250gts.pdfpdf_icon

SE1002

SE100250GTS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and V = 100V DS low operation voltage. This device is R =2.5m @V =10V DS(ON) GS suitable for using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outlin

 9.1. Size:624K  cn sino-ic
se10080a.pdfpdf_icon

SE1002

SE10080A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =100V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =9.9m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations

 9.2. Size:358K  cn sino-ic
se100p60.pdfpdf_icon

SE1002

SE100P60 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features For a single MOSFET Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and V = -100V DS low operation voltage. This device is R =18m @V =-10V DS(ON) GS suitable for using as a load switch or in PWM applications. Simple Drive Requirement Small Package Outline

 9.3. Size:508K  cn sino-ic
se10060a.pdfpdf_icon

SE1002

Другие транзисторы: SDT9304, SDT9305, SDT9306, SDT9307, SDT9308, SDT9309, SE0566, SE1001, TIP35C, SE1022, SE1730, SE2001, SE2002, SE3001, SE3002, SE3005, SE4001