SE4010. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE4010

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO106

 Аналоги (замена) для SE4010

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SE4010 даташит

 9.1. Size:1265K  cn sino-ic
 se40120a.pdf pdf_icon

SE4010

 9.2. Size:316K  cn sino-ic
 se40160a.pdf pdf_icon

SE4010

SE40160A N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =40V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =4m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations Se

 9.3. Size:901K  cn sino-ic
 se40150.pdf pdf_icon

SE4010

SE40150 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V = 40V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R = 1.9m @ V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations

Другие транзисторы: SE1730, SE2001, SE2002, SE3001, SE3002, SE3005, SE4001, SE4002, 8550, SE5006, SE5020, SE5021, SE5022, SE5023, SE5024, SE5-0253, SE5050