SF334B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SF334B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110

Корпус транзистора: X13

 Аналоги (замена) для SF334B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SF334B даташит

 9.1. Size:536K  silikron
 ssf3341.pdf pdf_icon

SF334B

SSF3341 Main Product Characteristics D VDSS -30V G RDS(on) 42m (typ.) S ID -4.2A Marking and pin SOT-23 Schematic diagram Assignme nt Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body

 9.2. Size:381K  silikron
 ssf3341l.pdf pdf_icon

SF334B

SSF3341L D DESCRIPTION The SSF3341L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable G for use as a load switch or in PWM applications. S GENERAL FEATURES Schematic diagram VDS = -30V,ID = -4.2A RDS(ON)

Другие транзисторы: SF294, SF294B, SF295, SF295C, SF295D, SF310, SF314, SF334, 13007, SF335, SF335C, SF335D, SF367, SFT106, SFT107, SFT108, SFT115