Биполярный транзистор 2N5174 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5174
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
2N5174 Datasheet (PDF)
2n5172 2n5174 2n5209 2n5210 2n5219 2n5220 2n5221 2n5223 2n5225 2n5226 2n5228 2n5232 2n5232a 2n5249 2n5249a 2n5305.pdf
2n5172.pdf
2N5172B TO-92CENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 10. See PN100 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVCBO Collector-Base Voltage 25 VVEBO Em
2n5172 2n6076 mps5172 mps6076.pdf
TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
2n5179.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n5172.pdf
2N5172 0.5 A, 25 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 General Purpose Amplifier TransistorG H EmitterCollector Base JA DCollector Millimeter REF.Min. Max.BA 4.40 4.70B 4.30 4.70K C 12.70 -D 3.30 3.81 E 0.3
2n5179.pdf
IS / IECQC 700000IS/ISO 9002IS / IECQC 750100Lic# QSC/L- 000019.2Continental Device India LimitedAn IS/ISO 9002 and IECQ Certified ManufacturerNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N5179TO-72Boca Semiconductor Corp BSCLow Noise Tuned Amplifiers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 20 VCollector -Emitter Voltage VCEO 12 VEmitte
2n5172.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR 2N5172TO-92Plastic PackageBCEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 25 VVCBOCollector Base Voltage 25 VVEBOEmitter Base Voltage 5 VICCollector Current C
Другие транзисторы... 2N5157 , 2N516 , 2N5160 , 2N5161 , 2N5162 , 2N517 , 2N5172 , 2N5173 , 4124 , 2N5175 , 2N5176 , 2N5177 , 2N5178 , 2N5179 , 2N518 , 2N5180 , 2N5181 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050