SS9012 - описание и поиск аналогов

 

SS9012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SS9012

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 64

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для SS9012

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SS9012 даташит

 ..1. Size:35K  fairchild semi
ss9012.pdfpdf_icon

SS9012

SS9012 1W Output Amplifier of Potable Radios in Class B Push-pull Operation. High total power dissipation. (PT=625mW) High Collector Current. (IC= -500mA) Complementary to SS9013 Excellent hFE linearity. TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units V

 ..2. Size:46K  samsung
ss9012.pdfpdf_icon

SS9012

SS9012 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS TO-92 B PUSH-PULL OPERATION. High total power dissipation. (PT=625mW) High Collector Current. (IC= -500mA) Complementary to SS9013 Excelent hFE linearity. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter

 9.1. Size:38K  fairchild semi
ss9014.pdfpdf_icon

SS9012

SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise High total power dissipation. (PT=450mW) High hFE and good linearity Complementary to SS9015 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO

 9.2. Size:40K  fairchild semi
ss9018.pdfpdf_icon

SS9012

SS9018 AM/FM Amplifier, Local Oscillator of FM/VHF Tuner High Current Gain Bandwidth Product fT=1.1 GHz (Typ) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Colle

Другие транзисторы: SQ5109F, SQ918, SQ918F, SS1906, SS2503A, SS8050, SS8550, SS9011, TIP120, SS9013, SS9014, SS9015, SS9016, SS9018, ST03, ST10, ST1026

 

 

 

 

↑ Back to Top
.