SS9015 - описание и поиск аналогов

 

SS9015. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SS9015

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для SS9015

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SS9015 даташит

 ..1. Size:41K  fairchild semi
ss9015.pdfpdf_icon

SS9015

SS9015 Low Frequency, Low Noise Amplifier Complement to SS9014 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -100 mA PC Collector Power Dissi

 ..2. Size:59K  samsung
ss9015.pdfpdf_icon

SS9015

SS9015 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY, LOW NOISE AMPLIFIER TO-92 Complement to SS9014 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -45 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 mA Collector Current IC -100 mW Collector Dissipation PC 450 Junction Temperature TJ 150 Storage Tem

 ..3. Size:239K  kexin
ss9015.pdfpdf_icon

SS9015

DIP Type e Transistors SMD Typ PNP Transistors SS9015 Unit mm TO-92 4.8 0.3 3.8 0.3 Features Complementary to SS9014 0.60 Max 0.45 0.1 0.5 2 1 3 1.Emitter 2.Base 1.27 2.54 3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -45 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current

 9.1. Size:38K  fairchild semi
ss9014.pdfpdf_icon

SS9015

SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise High total power dissipation. (PT=450mW) High hFE and good linearity Complementary to SS9015 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO

Другие транзисторы: SS1906, SS2503A, SS8050, SS8550, SS9011, SS9012, SS9013, SS9014, D667, SS9016, SS9018, ST03, ST10, ST1026, ST1050, ST11, ST12

 

 

 

 

↑ Back to Top
.