ST03. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ST03
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Аналоги (замена) для ST03
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ST03 даташит
crst037n10n crss035n10n.pdf
CRST037N10N,CRSS035N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ 3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested
wst03p06.pdf
WST03P06 P-Channel MOSFET General Description Product Summery The WST30P06 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -60V 88m -3.5A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST30P06 meet the RoHS and Green Prod uct requirement with
Другие транзисторы: SS8550, SS9011, SS9012, SS9013, SS9014, SS9015, SS9016, SS9018, BD222, ST10, ST1026, ST1050, ST11, ST12, ST1290, ST13, ST14
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet


