ST31. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ST31
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35
Корпус транзистора: TO5
Аналоги (замена) для ST31
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ST31 даташит
2st31a.pdf
2ST31A Low voltage NPN power transistor Features High switching speed TAB Good performances in terms of hFE linearity Application Linear and switching industrial applications 3 2 1 Description TO-220 The device is manufactured in planar technology with base island layout. The resulting transistor shows high gain performance coupled with low saturation voltag
j308 sst308 j309 sst309 j310 sst310 u309 u310.pdf
J/SST/U308 Series Vishay Siliconix N-Channel JFETs J308 SST308 U309 J309 SST309 U310 J310 SST310 PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA) J308 -1 to -6.5 -25 8 12 J309 -1 to -4 -25 10 12 J310 -2 to -6.5 -25 8 24 SST308 -1 to -6.5 -25 8 12 SST309 -1 to -4 -25 10 12 SST310 -2 to -6.5 -25 8 24 U309 -1 to -4 -25 10 12 U310 -2.5 to -6 -25 10
j308 j309 j310 sst308 sst310 sst309 u309 u310.pdf
J/SST/U308 Series N-Channel JFETs J308 SST308 U309 J309 SST309 U310 J310 SST310 Product Summary Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA) J308 1 to 6.5 25 8 12 J309 1 to 4 25 10 12 J310 2 to 6.5 25 8 24 SST308 1 to 6.5 25 8 12 SST309 1 to 4 25 10 12 SST310 2 to 6.5 25 8 24 U309 1 to 4 25 10 12
hsst3134.pdf
HSST3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSST3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 280 m power switching and load switch applications. ID 0.9 A The HSST3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability
Другие транзисторы: ST153, ST157, ST161, ST176, ST250, ST25C, ST29, ST30, TIP42C, ST32, ST33, ST34, ST3904, ST3906, ST40, ST400, ST401
History: ST176
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024




