Биполярный транзистор ST31 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: ST31
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TO5
- подбор биполярного транзистора по параметрам
ST31 Datasheet (PDF)
2st31a.pdf

2ST31ALow voltage NPN power transistorFeatures High switching speedTAB Good performances in terms of hFE linearityApplication Linear and switching industrial applications321DescriptionTO-220The device is manufactured in planar technology with base island layout. The resulting transistor shows high gain performance coupled with low saturation voltag
j308 sst308 j309 sst309 j310 sst310 u309 u310.pdf

J/SST/U308 SeriesVishay SiliconixN-Channel JFETsJ308 SST308 U309J309 SST309 U310J310 SST310PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA)J308 -1 to -6.5 -25 8 12J309 -1 to -4 -25 10 12J310 -2 to -6.5 -25 8 24SST308 -1 to -6.5 -25 8 12SST309 -1 to -4 -25 10 12SST310 -2 to -6.5 -25 8 24U309 -1 to -4 -25 10 12U310 -2.5 to -6 -25 10
j308 j309 j310 sst308 sst310 sst309 u309 u310.pdf

J/SST/U308 SeriesN-Channel JFETsJ308 SST308 U309J309 SST309 U310J310 SST310Product SummaryPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA)J308 1 to 6.5 25 8 12J309 1 to 4 25 10 12J310 2 to 6.5 25 8 24SST308 1 to 6.5 25 8 12SST309 1 to 4 25 10 12SST310 2 to 6.5 25 8 24U309 1 to 4 25 10 12
hsst3134.pdf

HSST3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSST3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 280 m power switching and load switch applications. ID 0.9 A The HSST3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: D62T5040 | NESG2101M16 | ACY50 | 2SD2083 | SGSD100 | 2SC1522 | BD244BG
History: D62T5040 | NESG2101M16 | ACY50 | 2SD2083 | SGSD100 | 2SC1522 | BD244BG



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024