ST31 - описание и поиск аналогов

 

ST31. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST31

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для ST31

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST31 даташит

 0.1. Size:371K  st
2st31a.pdfpdf_icon

ST31

2ST31A Low voltage NPN power transistor Features High switching speed TAB Good performances in terms of hFE linearity Application Linear and switching industrial applications 3 2 1 Description TO-220 The device is manufactured in planar technology with base island layout. The resulting transistor shows high gain performance coupled with low saturation voltag

 0.2. Size:96K  vishay
j308 sst308 j309 sst309 j310 sst310 u309 u310.pdfpdf_icon

ST31

J/SST/U308 Series Vishay Siliconix N-Channel JFETs J308 SST308 U309 J309 SST309 U310 J310 SST310 PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA) J308 -1 to -6.5 -25 8 12 J309 -1 to -4 -25 10 12 J310 -2 to -6.5 -25 8 24 SST308 -1 to -6.5 -25 8 12 SST309 -1 to -4 -25 10 12 SST310 -2 to -6.5 -25 8 24 U309 -1 to -4 -25 10 12 U310 -2.5 to -6 -25 10

 0.3. Size:98K  siliconix
j308 j309 j310 sst308 sst310 sst309 u309 u310.pdfpdf_icon

ST31

J/SST/U308 Series N-Channel JFETs J308 SST308 U309 J309 SST309 U310 J310 SST310 Product Summary Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA) J308 1 to 6.5 25 8 12 J309 1 to 4 25 10 12 J310 2 to 6.5 25 8 24 SST308 1 to 6.5 25 8 12 SST309 1 to 4 25 10 12 SST310 2 to 6.5 25 8 24 U309 1 to 4 25 10 12

 0.4. Size:684K  huashuo
hsst3134.pdfpdf_icon

ST31

HSST3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSST3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 280 m power switching and load switch applications. ID 0.9 A The HSST3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Другие транзисторы: ST153, ST157, ST161, ST176, ST250, ST25C, ST29, ST30, TIP42C, ST32, ST33, ST34, ST3904, ST3906, ST40, ST400, ST401

 

 

 

 

↑ Back to Top
.