ST33 - описание и поиск аналогов

 

ST33. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST33

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для ST33

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST33 даташит

 0.1. Size:971K  winsok
 wst3325.pdf pdf_icon

ST33

WST3325 P-Ch MOSFET General Description Product Summery TheWST3325 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate -20V 42m -5.6A charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST3325 meet the RoHS and Green Product requirement , with full

 0.2. Size:609K  winsok
 wst3392.pdf pdf_icon

ST33

WST3392 Dual N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST3392 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFETs with extreme high cell 3.7A 30V 40m density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST3392 meet the RoHS and Green Product requirement with full

Другие транзисторы: ST161, ST176, ST250, ST25C, ST29, ST30, ST31, ST32, 2N3906, ST34, ST3904, ST3906, ST40, ST400, ST401, ST4044, ST4045

 

 

 

 

↑ Back to Top
.