Справочник транзисторов. ST6008

 

Биполярный транзистор ST6008 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ST6008
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для ST6008

 

 

ST6008 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:3678K  winsok
wst6008.pdf

ST6008
ST6008

WST6008 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST6008 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 30V 140m 154mAgate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST6008 meet the RoHS and Green Product requirement with full

 9.1. Size:56K  st
st600k.pdf

ST6008
ST6008

ST600KLOW VOLTAGE NPN POWER TRANSISTORPRELIMINARY DATAFeatures LOW SATURATION VOLTAGEApplications SCANNING VELOCITY MODULATION IN CRT DISPLAYS MEDIUM POWER LINEAR AND SWITCHING 1APPLICATIONS 23 SOT-32Description(TO-216)The ST600K is manufactured by low voltageEpitaxial Base technology and it is housed inSOT-32 plastic package. The complementaryPNP ty

 9.2. Size:1115K  winsok
wst6002.pdf

ST6008
ST6008

WST6002 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST6002 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 30V 5 100mAfor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST6002 meet the RoHS and Green Product requirement with full func

 9.3. Size:546K  winsok
wst6003.pdf

ST6008
ST6008

WST6003 P-Ch MOSFETProduct SummeryFeatures D TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V RatedBVDSS RDSON ID D Gate-Source ESD Protected: 2000 VD High-Side Switching-20V 1200m -0.35AD Low On-Resistance: 1.2 WD Low Threshold: 0.8 V (typ)D Fast Switching Speed: 14 nsApplications D S- Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirement

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top