Биполярный транзистор TA1704 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TA1704
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO5
TA1704 Datasheet (PDF)
kta1704.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1704TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORAUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIERABHIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIER DCEFEATURESFComplementary to KTC2803.GHDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )KB 5.8LC 0.7CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT_+D 3.2 0.1E 3.5VCBO -120 VCollector-Base Voltage_+F 11.0 0.3G 2.9 M
aptgt50ta170p.pdf
APTGT50TA170P Triple phase leg VCES = 1700V Trench IGBT Power Module IC = 50A @ Tc = 80C Application VBUS1 VBUS2 VBUS3 Welding converters Switched Mode Power Supplies G1 G3 G5 Uninterruptible Power Supplies Motor control E1 E3 E5 U V WFeatures Trench + Field Stop IGBT Technology G2 G4 G6 - Low voltage drop - Low tail current - Switchi
kta1709.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1709TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSTROBO FLASH APPLICATION.ABHIGH CURRENT APPLICATION.DCEFEATURESFhFE=100 320 (VCE=-2V, IC=-0.5A).Low Collector Saturation Voltage. G: VCE(sat)=-0.5V (IC=-3A, IB=-75mA). HDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXKB 5.8LC 0.7_+D 3.2 0.1MAXIMUM RATING (Ta=25 )E 3.5_+F 11.0 0.3CHARACTER
kta1705.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1705TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORAUDIO AMPLIFIER, VOLTAGE REGULATOR ABDC-DC CONVERTER, RELAY DRIVERDCEFEATURESFLow Saturation Voltage.: VCE(sat) -0.8V (IC=-2A, IB=-0.2A)GExcellent hFE Linearity and high hFE. H: hFE:70 240 (VCE=-2V, IC=-0.5A)DIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXComplementary to KTC2804.KB 5.8LC 0.7_+D
kta1703.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1703TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH VOLTAGE APPLICATION.ABDC-DC CONVERTER.DCLOW POWER SWITCHING REGULATOR.EFFEATURES High Breakdown Voltage. G: VCEO=-400VHLow Collector Saturation Voltage DIM MILLIMETERSJA 8.3 MAX: VCE(sat)=-1V(max.), (IC=-100mA, IB=-10mA)KB 5.8LHigh Speed Switching. C 0.7_+D 3.2 0.1E
kta1700.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1700TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH VOLTAGE APPLICATION. ABDCFEATURESEHigh Transition Frequency : fT=100MHz(Typ.).FComplementary to KTC2800. GHDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )KB 5.8LC 0.7CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT_+D 3.2 0.1E 3.5VCBO -160 VCollector-Base Voltage_+F 11.0 0.3
kta1700.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor KTA1700DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown VoltageV = -160V(Min)CEOComplement to Type KTC2800Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -160 VCBO
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050