2N5230 - описание и поиск аналогов

 

2N5230. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5230

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO46

 Аналоги (замена) для 2N5230

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5230 даташит

 9.1. Size:57K  central
2n5232a.pdfpdf_icon

2N5230

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.2. Size:113K  semelab
2n5237s.pdfpdf_icon

2N5230

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N5237S Low Power, High Voltage. Hermetic TO-39 Metal Package. Ideally Suited For Switching And General Purpose Applications. Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter Voltage 120V VEBO Emitter Base

 9.3. Size:303K  cdil
2n5232 a.pdfpdf_icon

2N5230

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N5232 2N5232A TO-92 Plastic Package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 50 V VCBO Collector Base Voltage 70 V VEBO Emitter Base Voltage 5V IC Collector Current 1

 9.4. Size:55K  microelectronics
2n5232.pdfpdf_icon

2N5230

Другие транзисторы: 2N5224, 2N5225, 2N5226, 2N5227, 2N5228, 2N5229, 2N522A, 2N523, TIP31, 2N5231, 2N5232, 2N5232A, 2N5233, 2N5234, 2N5235, 2N5236, 2N5237

 

 

 

 

↑ Back to Top
.