Справочник транзисторов. TBC849

 

Биполярный транзистор TBC849 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TBC849
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для TBC849

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TBC849 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:188K  toshiba
 tbc847.pdf pdf_icon

TBC849

TBC847Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial TypeTBC847TBC847TBC847TBC8471. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Low-Frequency Amplifiers2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit2. Packaging and Internal Circuit1. Base2. Emitter3. CollectorSOT233. Absolute Maximum Ratings (

Другие транзисторы... TBC556 , TBC557 , TBC558 , TBC559 , TBC560 , TBC846 , TBC847 , TBC848 , 2SB817 , TBC850 , TBC856 , TBC857 , TBC858 , TBC859 , TBC860 , TBF869 , TBF870 .

History: 2SD465 | DT53-700 | BDY92 | D41E2 | BD543C | DTA143TUA | SBC848BLT1G

 

 
Back to Top

 


 
.