TBC859. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TBC859

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TBC859

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TBC859 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TBC846, TBC847, TBC848, TBC849, TBC850, TBC856, TBC857, TBC858, 2N4401, TBC860, TBF869, TBF870, TBF871, TBF872, TD13002, TD13002SMD, TD13003