TD367B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TD367B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для TD367B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TD367B даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TD265A, TD265B, TD265C, TD366, TD366A, TD366B, TD366C, TD367A, BC548, TD367C, TD643, TD644, TD645, TD646, TD647, TD648, TD649