TD649. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TD649

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для TD649

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TD649 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TD367B, TD367C, TD643, TD644, TD645, TD646, TD647, TD648, 13007, TD650, TEC8012, TEC8012D, TEC8012E, TEC8012F, TEC8012G, TEC8012H, TEC8013