Биполярный транзистор TD649 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: TD649
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам