Биполярный транзистор TI803 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: TI803
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO50-3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам