TI885 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TI885  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO33-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TI885

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TI885 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TI810, TI811, TI812, TI813, TI814, TI815, TI876, TI884, 13005, TI886, TI887, TI888, TI890, TI891, TI896, TI897, TI898