TI899. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TI899
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.24 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO5
Аналоги (замена) для TI899
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
TI899 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы... TI886 , TI887 , TI888 , TI890 , TI891 , TI896 , TI897 , TI898 , BC549 , TI903 , TI904 , TI904A , TI905 , TI910 , TI951 , TI952 , TI953 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent