Справочник транзисторов. TIP35A

 

Биполярный транзистор TIP35A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TIP35A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TOP3
 

 Аналог (замена) для TIP35A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIP35A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  onsemi
tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdfpdf_icon

TIP35A

TIP35A, TIP35B, TIP35C(NPN); TIP36A, TIP36B,TIP36C (PNP)Complementary SiliconHigh-Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.25 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current - 60-100 VOLTS, 125 WATTSICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V Excellent DC Gain

 ..2. Size:160K  inchange semiconductor
tip35 tip35a tip35b tip35c.pdfpdf_icon

TIP35A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors TIP35/35A/35B/35C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP36/36A/36B/36C DC current gain hFE=25(Min)@IC=1.5A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base

 0.1. Size:157K  motorola
tip35are.pdfpdf_icon

TIP35A

Order this documentMOTOROLAby TIP35A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP35AComplementary SiliconTIP35B*High-Power Transistors. . . for generalpurpose power amplifier and switching applications.TIP35C* 25 A Collector CurrentPNP Low Leakage Current ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 VTIP36A Excellent DC Gain hFE = 40 Typ @ 15 A High Current Gain Bandw

 0.2. Size:222K  inchange semiconductor
tip35af.pdfpdf_icon

TIP35A

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35AFDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

Другие транзисторы... TIP34 , TIP34A , TIP34B , TIP34C , TIP34D , TIP34E , TIP34F , TIP35 , BC639 , TIP35B , TIP35C , TIP35D , TIP35E , TIP35F , TIP36 , TIP36A , TIP36B .

History: NTE103A | TN3397 | 2SC2670Y

 

 
Back to Top

 


 
.