TIP35A - описание и поиск аналогов

 

TIP35A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TIP35A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO247

 Аналоги (замена) для TIP35A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIP35A даташит

 ..1. Size:260K  onsemi
tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdfpdf_icon

TIP35A

TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) Complementary Silicon High-Power Transistors http //onsemi.com Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 25 AMPERE Features COMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current - 60-100 VOLTS, 125 WATTS ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V Excellent DC Gain

 ..2. Size:160K  inchange semiconductor
tip35 tip35a tip35b tip35c.pdfpdf_icon

TIP35A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors TIP35/35A/35B/35C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP36/36A/36B/36C DC current gain hFE=25(Min)@IC=1.5A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base

 0.1. Size:157K  motorola
tip35are.pdfpdf_icon

TIP35A

Order this document MOTOROLA by TIP35A/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN TIP35A Complementary Silicon TIP35B* High-Power Transistors . . . for general purpose power amplifier and switching applications. TIP35C* 25 A Collector Current PNP Low Leakage Current ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V TIP36A Excellent DC Gain hFE = 40 Typ @ 15 A High Current Gain Bandw

 0.2. Size:222K  inchange semiconductor
tip35af.pdfpdf_icon

TIP35A

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35AF DESCRIPTION DC Current Gain- h = 25(Min)@I = 1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a

Другие транзисторы: TIP34, TIP34A, TIP34B, TIP34C, TIP34D, TIP34E, TIP34F, TIP35, BC556, TIP35B, TIP35C, TIP35D, TIP35E, TIP35F, TIP36, TIP36A, TIP36B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.