TIP36A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TIP36A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO218

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для TIP36A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIP36A даташит

 ..1. Size:260K  onsemi
 tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdf pdf_icon

TIP36A

TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) Complementary Silicon High-Power Transistors http //onsemi.com Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 25 AMPERE Features COMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current - 60-100 VOLTS, 125 WATTS ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V Excellent DC Gain

 ..2. Size:141K  inchange semiconductor
 tip36 tip36a tip36b tip36c.pdf pdf_icon

TIP36A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors TIP36/36A/36B/36C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP35/35A/35B/35C DC current gain hFE=25(Min)@IC=-1.5A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base

 ..3. Size:221K  inchange semiconductor
 tip36a.pdf pdf_icon

TIP36A

isc Silicon PNP Power Transistor TIP36A DESCRIPTION DC Current Gain- h = 25(Min)@I = -1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) Complement to Type TIP35A Current Gain-Bandwidth Product- f = 3.0MHz(Min)@I = -1.0A T C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in gen

 0.1. Size:215K  inchange semiconductor
 tip36ab.pdf pdf_icon

TIP36A

isc Silicon PNP Power Transistor TIP36AB DESCRIPTION DC Current Gain- h = 25(Min)@I = -1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TIP35, TIP35A, TIP35B, TIP35C, TIP35D, TIP35E, TIP35F, TIP36, MPSA42, TIP36B, TIP36C, TIP36D, TIP36E, TIP36F, TIP41, TIP41A, TIP41B