TIP539 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TIP539  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TIP539

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIP539 даташит

 9.1. Size:127K  mospec
 tip51 tip52 tip53 tip54.pdf pdf_icon

TIP539

A A A

 9.2. Size:218K  inchange semiconductor
 tip53.pdf pdf_icon

TIP539

isc Silicon NPN Power Transistors TIP53 DESCRIPTION DC Current Gain -h = 30 150@ I = 0.3A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 350V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for line operated audio output amplifier,and switching power supply drivers applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы: TIP531, TIP532, TIP533, TIP534, TIP535, TIP536, TIP537, TIP538, TIP31, TIP54, TIP541, TIP542, TIP543, TIP5433, TIP544, TIP545, TIP546