TIS97 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TIS97  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TIS97

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIS97 даташит

 ..1. Size:293K  fairchild semi
tis97.pdfpdf_icon

TIS97

Discrete POWER & Signal Technologies TIS97 E TO-92 B C NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V V C

Другие транзисторы: TIS90, TIS90M, TIS91, TIS91M, TIS92, TIS92M, TIS93, TIS93M, A1941, TIS98, TIS99, TIX1392, TIX1393, TIX2150, TIX2151, TIX3015, TIX3033