Биполярный транзистор TK21
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TK21
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: X18
Аналоги (замена) для TK21
TK21
Datasheet (PDF)
0.1. Size:179K ixys
ixtk210p10t ixtx210p10t.pdf 
Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 100VIXTK210P10TPower MOSFETs ID25 = - 210AIXTX210P10T RDS(on) 7.5m trr 200nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C -100 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS
0.2. Size:137K ixys
ixtk21n100 ixtn21n100.pdf 
IXTK 21N100 VDSS = 1000 VHigh VoltageIXTN 21N100 ID25 = 21 AMegaMOSTMFETsRDS(on) = 0.55 N-Channel, Enhancement ModeTO-264 AA (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXTK IXTNVDSS TJ = 25C to 150C 1000 1000 VGD (TAB)DVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 1000 VSVGS Continuous 20 20 VminiBLOC, SOT-227 BVGSM Transient 30
0.3. Size:379K kec
ktk211.pdf 
KTK211SEMICONDUCTORN CHANNEL JUNCTION FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORHIGH FREQUENCY APPLICATION.VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20Low Noise Figure : NF=2.5dB(Typ.) (f=100MHz).B 1.30+0.20/-0.15High Forward Transfer Admittance. C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05: |yfs| =9mS(Typ.)E 2.40+0.30/-0.201G 1.90Ext
0.4. Size:144K first silicon
ftk2102.pdf 
SEMICONDUCTORFTK2102TECHNICAL DATA20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 21SOT323APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3 Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc 1 2 MARKING: TS2 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)
0.5. Size:162K first silicon
ftk2101.pdf 
SEMICONDUCTORFTK2101TECHNICAL DATA20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 21SOT323APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3D Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc G1S2MARKING: TS1 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise n
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.
