TK250A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK250A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TK250A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TK250A даташит

 9.1. Size:560K  ixys
 ixtk250n10.pdf pdf_icon

TK250A

IXTK 250N10 VDSS = 100 V High Current ID25 = 250 A MegaMOSTMFET RDS(on) = 5 m N-Channel Enhancement Mode Symbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AA (IXTK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1.0 M 100 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V D (TAB) G ID25 TC = 25 C MOSFET chip capability 250 A D ID(RMS) Externa

Другие транзисторы: TK21C, TK23, TK23A, TK23C, TK24, TK24B, TK24C, TK25, 2SC5200, TK251A, TK252A, TK253A, TK254A, TK255A, TK256A, TK257A, TK258A