Биполярный транзистор TK70A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TK70A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.325 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO5
TK70A Datasheet (PDF)
0.1. Size:182K toshiba
tk70a06j1.pdf
tk70a06j1.pdf
TK70A06J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK70A06J1 Switching Regulator Application Unit: mm High-Speed switching Small gate charge: Qg = 87nC (typ.) Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.1 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 80 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (V
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050