TN2107 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TN2107  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO237

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TN2107

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN2107 даташит

 9.1. Size:178K  ixys
 ixtn210p10t.pdf pdf_icon

TN2107

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = -100V IXTN210P10T Power MOSFET ID25 = - 210A RDS(on) 7.5m trr 200ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier miniBLOC E153432 S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

 9.2. Size:716K  supertex
 tn2106.pdf pdf_icon

TN2107

Supertex inc. TN2106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This low threshold, enhancement-mode (normally-off) Low power drive requirement transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s Ease of paralleling well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low CISS and fast switching spe

Другие транзисторы: TMPTA43, TN1613, TN1613A, TN1613R, TN1711, TN1893, TN1893R, TN2102, 2SD669A, TN2218, TN2218A, TN2219, TN2219A, TN2221, TN2221A, TN2221AR, TN2221R