TN2222AR datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: TN2222AR 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для TN2222AR
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
TN2222AR даташит
stn2222a.pdf
STN2222A NPN Silicon Transistor Descriptions PIN Connection General purpose application C Switching application B Features Large collector current Low collector saturation voltage E Complementary pair with STN2907A TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STN2222A STN2222A TO-92 Year & Week Code Absolute maximum
stn2222as.pdf
STN2222AS NPN Silicon Transistor Descriptions General purpose application COLLECTOR Switching application 3 3 1 Features BASE Large collector current Low collector saturation voltage 2 EMITTER Complementary pair with STN2907AS SOT-23 Ordering Information Part Number Marking Package XA STN2222AS SOT-23 * Device
stn2222asf.pdf
STN2222ASF NPN Silicon Transistor Descriptions PIN Connection General purpose application 3 Switching application 1 Features 2 Large collector current SOT-23F Low collector saturation voltage Complementary pair with STN2907ASF Ordering Information Type NO. Marking Package Code XA STN2222ASF SOT-23F Device Code Year&
ktn2222ae.pdf
SEMICONDUCTOR KTN2222AE TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES B Low Leakage Current D DIM MILLIMETERS ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V. 2 _ + A 1.60 0.10 Low Saturation Voltage _ + B 0.85 0.10 3 1 _ C 0.70 0.10 + VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA. D 0.27+0.10/-0.05 _ Complementary
Другие транзисторы: TN2219, TN2219A, TN2221, TN2221A, TN2221AR, TN2221R, TN2222, TN2222A, 2N2907, TN2222R, TN2270, TN2369, TN2369R, TN2484, TN2484R, TN2711, TN2712
History: TP2222AR | MPS3900A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a








