TN2369 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TN2369  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TN2369

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN2369 даташит

 0.1. Size:27K  kec
 ktn2369u au.pdf pdf_icon

TN2369

SEMICONDUCTOR KTN2369U/AU TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS High Frequency Characteristics. _ A + 2.00 0.20 D 2 _ + B 1.25 0.15 fT=500MHz (Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA). _ + C 0.90 0.10 3 1 Excellent Switching Characteristics. D 0.3+0.10/-0.05 _ E + 2.10 0.20 G 0.65 H 0.15+0.1/

 0.2. Size:309K  kec
 ktn2369 a.pdf pdf_icon

TN2369

SEMICONDUCTOR KTN2369/A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES High Frequency Characteristics fT=500MHz (Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA). Excellent Switching Characteristics. N DIM MILLIMETERS KTN2369/2369A Electrically Similar to 2N2369/2369A. A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 MAXIMUM RA

 0.3. Size:306K  kec
 ktn2369s as.pdf pdf_icon

TN2369

SEMICONDUCTOR KTN2369S/AS TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ + 2.93 0.20 Excellent High Frequency Characteristics. A B 1.30+0.20/-0.15 Excellent Switching Characteristics. C 1.30 MAX 2 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 K 0.00 0.10 L 0.55 P P M 0.2

 0.4. Size:226K  cystek
 btn2369n3.pdf pdf_icon

TN2369

Spec. No. C229N3 Issued Date 2004.08.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.02.23 Page No. 1/6 High Frequency NPN Switching Transistor BTN2369N3 Description High transition frequency, f =500MHz(min) T High current, IC(max)=500mA Low saturation voltage, V =0.3V(max) CE(SAT) Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TN2221A, TN2221AR, TN2221R, TN2222, TN2222A, TN2222AR, TN2222R, TN2270, 431, TN2369R, TN2484, TN2484R, TN2711, TN2712, TN2713, TN2714, TN2715