TN3020 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TN3020  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO237

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TN3020

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN3020 даташит

 9.1. Size:390K  cystek
 mtn3023j3.pdf pdf_icon

TN3020

Spec. No. C737J3 Issued Date 2011.11.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.14 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V MTN3023J3 ID 30A VGS=10V, ID=20A 14m RDSON(TYP) Features VGS=4.5V, ID=10A 21m Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent C

Другие транзисторы: TN2907AR, TN2907R, TN2923, TN2924, TN2925, TN2926, TN3013, TN3019, TIP122, TN3053, TN3053A, TN3244, TN3245, TN3250, TN3250A, TN3251, TN3252