Биполярный транзистор TN3053 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TN3053
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO237
TN3053 Datasheet (PDF)
utn3055.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTN3055 Power MOSFET 12A, 25V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTC UTN3055 is N-channel logic level enhancement mode field effect transistor. SYMBOL 2.Drain 1.Gate3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package PackingLead Free Halogen Free 1 2 3 UTN3055L-TN3-R UTN3055G-TN3-R TO-252 G D S Tape Reel
mtn3055j3.pdf
Spec. No. : C390J3 Issued Date : 2007.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VID 15AMTN3055J3 RDSON 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-252 MTN3055J3GGate G D S D
mtn3055m3.pdf
Spec. No. : C390M3 Issued Date : 2007.09.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.12.03 Page No. : 1/6 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VID 6AMTN3055M3 RDSON(MAX) 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Pb-free package Symbol Outline MTN3055M3 SOT-89 D G D S GGate S
mtn3055l3.pdf
Spec. No. : C390L3 Issued Date : 2010.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2012.08.20 Page No. : 1/8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTN3055L3 ID 8.3A19m (typ) RDSON@VGS=10V, ID=4A 25m (typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=3A Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating p
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050