TN3053A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: TN3053A 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для TN3053A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
TN3053A даташит
utn3055.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTN3055 Power MOSFET 12A, 25V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTC UTN3055 is N-channel logic level enhancement mode field effect transistor. SYMBOL 2.Drain 1.Gate 3.Source ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 UTN3055L-TN3-R UTN3055G-TN3-R TO-252 G D S Tape Reel
mtn3055j3.pdf
Spec. No. C390J3 Issued Date 2007.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V ID 15A MTN3055J3 RDSON 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-252 MTN3055J3 G Gate G D S D
mtn3055l3.pdf
Spec. No. C390L3 Issued Date 2010.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.08.20 Page No. 1/8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V MTN3055L3 ID 8.3A 19m (typ) RDSON@VGS=10V, ID=4A 25m (typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=3A Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating p
Другие транзисторы: TN2923, TN2924, TN2925, TN2926, TN3013, TN3019, TN3020, TN3053, 13007, TN3244, TN3245, TN3250, TN3250A, TN3251, TN3252, TN3253, TN3390
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent




