TN5130 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TN5130  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TN5130

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN5130 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: TN4917, TN4964, TN4965, TN5022, TN5023, TN5127, TN5128, TN5129, BD335, TN5131, TN5132, TN5133, TN5134, TN5135, TN5136, TN5137, TN5138