TN5401 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TN5401  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TN5401

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN5401 даташит

 9.1. Size:276K  cystek
 mtn540j3.pdf pdf_icon

TN5401

Spec. No. C581J3 Issued Date 2011.10.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN540J3 ID 25A 49m VGS=10V, ID=18A RDSON(TYP) 48m VGS=4.5V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivale

Другие транзисторы: TN5139, TN5140, TN5141, TN5142, TN5143, TN5172, TN5179, TN5400R, TIP42, TN5401R, TN5447, TN5449, TN5550, TN5550R, TN5551, TN5551R, TN5816