Биполярный транзистор TN5550 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TN5550
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO92
TN5550 Datasheet (PDF)
zxtn5551fl.pdf
ZXTN5551FL160V, SOT23, NPN High voltage transistorSummary BVCEO > 160VBVEBO > 6VIC(cont) = 600mA PD = 330mWComplementary part number ZXTP5401FLDescriptionCA high voltage NPN transistor in a small outline surface mount package.FeaturesB 160V rating SOT23 packageEApplicationsE High voltage amplificationCOrdering informationDevice Reel size Tape w
zxtn5551z.pdf
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS PLEASE USE DXT5551 ZXTN5551Z160V, SOT89, NPN high voltage transistor SummaryBVCEO > 160VBVEBO > 6VIC(cont) = 600mAPD = 1.2W Complementary part number ZXTP5401ZDescriptionCA high voltage NPN transistor in a small outline surface mount packageFeaturesB 160V rating SOT89 packageEApplicationsE High voltage amplificatio
zxtn5551g.pdf
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN A Product Line ofUSE DZT5551Diodes IncorporatedZXTN5551G160V NPN VOLTAGE TRANSISTOR Features Mechanical Data BVCEO > 160V Case: SOT223 Case material: Molded Plastic. Green Molding Compound. BVEBO > 6V UL Flammability Rating 94V-0 IC = 600mA Continuous Collector Current Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
btn5551a3.pdf
Spec. No. : C208A3 Issued Date : 2003.06.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.02 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN5551A3Description The BTN5551A3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BT
btn5551k3.pdf
Spec. No. : C208K3 Issued Date : 2012.06.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.02 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN5551K3Features High breakdown voltage, BV 160V CEO Pb-free lead plating package Symbol Outline BTN5551K3 TO-92L BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Paramete
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
