TP3415 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TP3415  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TP3415

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TP3415 даташит

 0.1. Size:293K  cystek
 mtp3415kn3.pdf pdf_icon

TP3415

Spec. No. C589N3 Issued Date 2010.11.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.11 Page No. 1/ 9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V ID -4.4A VGS=-4.5V, ID=-4A MTP3415KN3 33m VGS=-2.5V, ID=-4A 42m RDSON(TYP) VGS=-1.8V, ID=-2A 52m Features ESD protected 3KV Advanced trench process technology High density cell design for ultra lo

 9.1. Size:353K  cystek
 mtp3413n3.pdf pdf_icon

TP3415

Spec. No. C394N3 Issued Date 2012.01.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.04 Page No. 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V MTP3413N3 ID -4.9A VGS=-4.5V, ID=-4.3A 39m VGS=-2.5V, ID=-2.5A RDSON(TYP) 50m VGS=-1.8V, ID=-2A 65m Features 1.8V gate rated Advanced trench process technology High density cell desig

Другие транзисторы: TP3396, TP3397, TP3398, TP3402, TP3403, TP3404, TP3405, TP3414, TIP42, TP3416, TP3417, TP3563, TP3564, TP3565, TP3566, TP3567, TP3568