Биполярный транзистор TRR50-10 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: TRR50-10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO66
     - подбор биполярного транзистора по параметрам