U2TD430 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: U2TD430  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO202

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для U2TD430

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

U2TD430 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: U2TA506, U2TA508, U2TA510, U2TB406, U2TB408, U2TB410, U2TD410, U2TD420, A1015, U2TG406, U2TG408, U2TG410, UC1100A, UMA10N, UMA11N, UMA1N, UMA2N