Справочник транзисторов. UMA11N

 

Биполярный транзистор UMA11N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: UMA11N
   Маркировка: A11
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC88A SOT353

 Аналоги (замена) для UMA11N

 

 

UMA11N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  rohm
uma11n.pdf

UMA11N
UMA11N

TransistorsEmitter common(dual digital transistors)UMA11N / FMA11AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTA143Z chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon transistor(Built-in resistor type)The following characteristics apply toboth DTr1 and DTr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

 ..2. Size:62K  rohm
uma11n fma11a a11 sot23-5 sot353.pdf

UMA11N
UMA11N

TransistorsEmitter common(dual digital transistors)UMA11N / FMA11AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTA143Z chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon transistor(Built-in resistor type)The following characteristics apply toboth DTr1 and DTr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

 ..3. Size:332K  htsemi
uma11n.pdf

UMA11N

UMA11N dual digital transistors (PNP+ PNP)SOT-353 FEATURES Two DTA143Z chips in a package Mounting cost and area can be cut in half Marking: A11 1 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25) Symbol Parameter Value Units VCC Supply Voltage -50 VIC(MAX) Output Current -100 mAVi Input Voltage -30 to +5 V PD Power Dissipation 150 mWTJ Junction Temperatu

 9.1. Size:181K  chenmko
chuma11gp.pdf

UMA11N
UMA11N

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHUMA11GPSURFACE MOUNT Dual Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SC-88A/SOT-353)SC-88A/SOT353* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation c

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

 

 
Back to Top