Справочник транзисторов. UMB11N

 

Биполярный транзистор UMB11N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMB11N
   Маркировка: B11
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для UMB11N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMB11N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  rohm
emb11 umb11n imb11a umb11n.pdfpdf_icon

UMB11N

EMB11 / UMB11N / IMB11A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB11 / UMB11N / IMB11A Features External dimensions (Unit : mm) 1) Two DTA114E chips in a EMT or UMT or SMT EMB11package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3)(5) (2)automatic mounting machines. (6) (1)1.21.63) Transistor elements are independent, eliminating inte

 ..2. Size:62K  rohm
umb11n imb11a b11 sot23-6 sot363.pdfpdf_icon

UMB11N

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMB11N / IMB11AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTA114Es in a UMT or SMTpackage.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typePNP silic

 0.1. Size:1296K  rohm
umb11nfha.pdfpdf_icon

UMB11N

EMB11FHA / UMB11NFHA / IMB11AFRAEMB11 / UMB11N / IMB11ADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCC-50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R110kWEMB11 UMB11N EMB11FHA UMB11NFHAR210kW (SC-107C) SOT-353 (S

 0.2. Size:1340K  rohm
emb11fha umb11nfha imb11afra.pdfpdf_icon

UMB11N

EMB11FHA / UMB11NFHA / IMB11AFRAEMB11 / UMB11N / IMB11ADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCC-50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R110kWEMB11 UMB11N EMB11FHA UMB11NFHAR210kW (SC-107C) SOT-353 (S

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: UMB6N

 

 
Back to Top

 


 
.