UMC1N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMC1N  📄📄 

Маркировка: C1

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMC1N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMC1N даташит

 ..1. Size:41K  rohm
 umc1n.pdf pdf_icon

UMC1N

UMC1N / FMC1A Transistors Transistors UMD12N / FMC7A (94S-815-AC143T) (96-475-AC144E) 592

 ..2. Size:40K  rohm
 umc1n fmc1a c1 sot353 sot23-5.pdf pdf_icon

UMC1N

UMC1N / FMC Transistors Transistors UMD12N / FMC

Другие транзисторы: UMB2N, UMB3N, UMB4N, UMB5N, UMB6N, MMUN2235LT1G, UMB8N, UMB9N, TIP35C, UMC2N, UMC3N, UMC4N, UMC5N, PDTA115EEF, PDTA115EK, UMD10N, PDTA115ES