UMC4N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMC4N  📄📄 

Маркировка: C4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMC4N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMC4N даташит

 ..1. Size:101K  rohm
umc4n.pdfpdf_icon

UMC4N

Transistors Power management (dual digital transistors) UMC4N / FMC4A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA114Y chip and DTC144E chip in a UMT or SMT package. 2) Ideal for power switching circuits. 3) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN/PNP silicon transistor (Built-in resistor type) FAbsolute maximum ratings (Ta =

 ..2. Size:101K  rohm
umc4n fmc4a c4 sot23-5 sot353.pdfpdf_icon

UMC4N

Transistors Power management (dual digital transistors) UMC4N / FMC4A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA114Y chip and DTC144E chip in a UMT or SMT package. 2) Ideal for power switching circuits. 3) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN/PNP silicon transistor (Built-in resistor type) FAbsolute maximum ratings (Ta =

 ..3. Size:286K  diodes
umc4n.pdfpdf_icon

UMC4N

UMC4N DUAL COMPLEMENTARY PRE-BIASED TRANSISTORS Features Epitaxial Planar Die Construction Surface Mount Package Suited for Automated Assembly Simplifies Circuit Design and Reduces Board Space Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Mechanical Data SOT-353 Case SOT-353 (3) (2) (1) 3 2 1 Case Material Molded Plastic. UL Flam

 ..4. Size:465K  first silicon
umc4n.pdfpdf_icon

UMC4N

SEMICONDUCTOR UMC4N TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR Features Including two devices in USV. SC-88A/SOT-353 (Ultra Supermini type with 5 leads.) With Built-in bias resistors. Simplify circuit design. Reduce a quantity of parts and manufacturing process. EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW) We declare that the material of product 5 4 compliance with RoHS requirement

Другие транзисторы: UMB5N, UMB6N, MMUN2235LT1G, UMB8N, UMB9N, UMC1N, UMC2N, UMC3N, BC558, UMC5N, PDTA115EEF, PDTA115EK, UMD10N, PDTA115ES, PDTA115TK, PDTA115TS, UMD2N