UMD2N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UMD2N
Маркировка: D2
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: SC88 SOT353
UMD2N Datasheet (PDF)
emd2 umd2n.pdf
EMD2 / UMD2N / IMD2A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 22kW EMD2 UMD2N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 22kW SMT6 (4) (5) (6) (3) Parameter Valu
emd2 umd2n imd2a.pdf
EMD2 / UMD2N / IMD2A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD2 / UMD2N / IMD2A Features Dimensions (Unit mm) 1) Both the DTA124E chip and DTC124E chip in a EMT EMD2 or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT6 or UMT6 or SMT6 (6) (5) (4) automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3) interferen
umd2n imd2a d2 sot23-6sot363.pdf
Transistors General purpose (dual digital transistors) UMD2N / IMD2A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Both the DTA124E chip and DTC124E chip in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxi
umd2n.pdf
UMD2N NPN-PNP built-in resistors Elektronische Bauelemente Multi-Chip Digital Transistor SOT-363 o .055(1.40) 8 .047(1.20) 0o .026TYP (0.65TYP) .021REF Features (0.525)REF .053(1.35) .096(2.45) * DTA124E and DTC124E transistors are .045(1.15) .085(2.15) built-in a SOT-363 package. * Transistor elements are independent, .018(0.46) .010(0.26) eliminating interference
Другие транзисторы... UMC4N , UMC5N , PDTA115EEF , PDTA115EK , UMD10N , PDTA115ES , PDTA115TK , PDTA115TS , 9014 , UMD3N , UMD6N , PDTA123EEF , UMD9N , UMG11N , PDTA123EK , PDTA123ES , UMG1N .
History: UN911H | U2TB406 | 2N3999 | K2118 | DDTA144VUA | 2SC4156U | 2SD1835U
History: UN911H | U2TB406 | 2N3999 | K2118 | DDTA144VUA | 2SC4156U | 2SD1835U
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet








