Биполярный транзистор UMD2N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMD2N
Маркировка: D2
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: SC88 SOT353
UMD2N Datasheet (PDF)
emd2 umd2n.pdf
EMD2 / UMD2N / IMD2ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC50V(1) (1) (2) IC(MAX.)100mA (2) (3) (3) R122kWEMD2 UMD2N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 22kWSMT6(4) (5) (6) (3) Parameter Valu
emd2 umd2n imd2a.pdf
EMD2 / UMD2N / IMD2A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD2 / UMD2N / IMD2A Features Dimensions (Unit : mm) 1) Both the DTA124E chip and DTC124E chip in a EMT EMD2or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT6 or UMT6 or SMT6 (6) (5) (4)automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3)interferen
umd2n imd2a d2 sot23-6sot363.pdf
TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMD2N / IMD2AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Both the DTA124E chip andDTC124E chip in a UMT or SMTpackage.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxi
umd2n.pdf
UMD2NNPN-PNP built-in resistors Elektronische BauelementeMulti-Chip Digital TransistorSOT-363o.055(1.40)8.047(1.20)0o .026TYP(0.65TYP) .021REFFeatures(0.525)REF.053(1.35).096(2.45)* DTA124E and DTC124E transistors are .045(1.15).085(2.15)built-in a SOT-363 package. * Transistor elements are independent, .018(0.46).010(0.26)eliminating interference
umd2n.pdf
UMD2N General purpose transistors (dual transistors)SOT-363 FEATURES Both the DTA124E chip and DTC124E chip in a package 1 Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area be cut in half. Marking: D2 Equivalent circuit Absolute maximum ratings(Ta=25) Parameter Symbol
emd2fha umd2nfha.pdf
EMD2FHA / UMD2NFHA / IMD2AFRAEMD2 / UMD2N / IMD2ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R122kWEMD2UMD2NEMD2FHA UMD2NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)22kWSMT6(4)
emd2fha umd2nfha imd2afra.pdf
EMD2FHA / UMD2NFHA / IMD2AFRAEMD2 / UMD2N / IMD2ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R122kWEMD2UMD2NEMD2FHA UMD2NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)22kWSMT6(4)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050