Справочник транзисторов. UMD9N

 

Биполярный транзистор UMD9N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMD9N
   Маркировка: D9
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC88 SOT353
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

UMD9N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  rohm
 umd9n imd9a d9 sot23-6 sot363.pdf pdf_icon

UMD9N

UMD9N / IMD9ATransistorsDigital Transistor(Dual Digital Transistors for Inverter Drive)UMD9N / IMD9A Features External dimensions (Units : mm)1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a SMTpackage.UMD9N1.252.1 Absolute maximum ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Limits Unit0.1Min.Supply voltage VCC 50 V ROHM : UMT6EIAJ : SC-88Input voltage VIN -6~+40 V Each

 ..2. Size:140K  rohm
 umd9n umt3904 sst3904 mmst3904 3.pdf pdf_icon

UMD9N

Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive) EMD9 / UMD9N / IMD9A Features Dimensions (Unit : mm) 1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a EMT EMD9 or UMT or SMT package. (4) (3)(5) (2)(6) (1)Inner circuit 1.21.6EMD9 / UMD9N IMD9A(3) (2) (1) (4) (5) (6)R1 R2 R1 R2Each lead has same dimensionsDTr1 DTr1DTr2 DTr2 ROHM : EMT6

 ..3. Size:652K  htsemi
 umd9n.pdf pdf_icon

UMD9N

UMD9N DIGITAL TRANSISTOR (NPN+PNP) SOT-363 FEATURES DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a package. External circuit 1MARKING:D9 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Unit Limits Supply voltage VCC 50 VInput voltage VIN -6~40 VIO 70Output current mA IC(MAX) 100Power dissipation Pd 150(TOTAL) mWJunction temperature Tj 150 Storag

 0.1. Size:1436K  rohm
 emd9fha umd9nfha imd9afra.pdf pdf_icon

UMD9N

EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRAEMD9 / UMD9N / IMD9ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R110kWEMD9UMD9NEMD9FHA UMD9NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)47kWSMT6(4)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: GN4F3M | NKT108 | 2N5862 | DTC123JEB | 2SB443A | KRC663U | 2SC765

 

 
Back to Top

 


 
.