UMD9N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UMD9N
Маркировка: D9
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SC88 SOT353
UMD9N Datasheet (PDF)
umd9n imd9a d9 sot23-6 sot363.pdf
UMD9N / IMD9A Transistors Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive) UMD9N / IMD9A Features External dimensions (Units mm) 1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a SMT package. UMD9N 1.25 2.1 Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit 0.1Min. Supply voltage VCC 50 V ROHM UMT6 EIAJ SC-88 Input voltage VIN -6 +40 V Each
umd9n umt3904 sst3904 mmst3904 3.pdf
Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive) EMD9 / UMD9N / IMD9A Features Dimensions (Unit mm) 1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a EMT EMD9 or UMT or SMT package. (4) (3) (5) (2) (6) (1) Inner circuit 1.2 1.6 EMD9 / UMD9N IMD9A (3) (2) (1) (4) (5) (6) R1 R2 R1 R2 Each lead has same dimensions DTr1 DTr1 DTr2 DTr2 ROHM EMT6
umd9n.pdf
UMD9N DIGITAL TRANSISTOR (NPN+PNP) SOT-363 FEATURES DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a package. External circuit 1 MARKING D9 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Unit Limits Supply voltage VCC 50 V Input voltage VIN -6 40 V IO 70 Output current mA IC(MAX) 100 Power dissipation Pd 150(TOTAL) mW Junction temperature Tj 150 Storag
emd9fha umd9nfha imd9afra.pdf
EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRA EMD9 / UMD9N / IMD9A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 10kW EMD9 UMD9N EMD9FHA UMD9NFHA (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kW SMT6 (4)
Другие транзисторы... UMD10N , PDTA115ES , PDTA115TK , PDTA115TS , UMD2N , UMD3N , UMD6N , PDTA123EEF , A1013 , UMG11N , PDTA123EK , PDTA123ES , UMG1N , UMG2N , UMG3N , UMG4N , UMG5N .
History: 2SA2125-TD-H
History: 2SA2125-TD-H
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor






