Биполярный транзистор UMD9N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMD9N
Маркировка: D9
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SC88 SOT353
UMD9N Datasheet (PDF)
umd9n imd9a d9 sot23-6 sot363.pdf
UMD9N / IMD9ATransistorsDigital Transistor(Dual Digital Transistors for Inverter Drive)UMD9N / IMD9A Features External dimensions (Units : mm)1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a SMTpackage.UMD9N1.252.1 Absolute maximum ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Limits Unit0.1Min.Supply voltage VCC 50 V ROHM : UMT6EIAJ : SC-88Input voltage VIN -6~+40 V Each
umd9n umt3904 sst3904 mmst3904 3.pdf
Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive) EMD9 / UMD9N / IMD9A Features Dimensions (Unit : mm) 1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a EMT EMD9 or UMT or SMT package. (4) (3)(5) (2)(6) (1)Inner circuit 1.21.6EMD9 / UMD9N IMD9A(3) (2) (1) (4) (5) (6)R1 R2 R1 R2Each lead has same dimensionsDTr1 DTr1DTr2 DTr2 ROHM : EMT6
umd9n.pdf
UMD9N DIGITAL TRANSISTOR (NPN+PNP) SOT-363 FEATURES DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a package. External circuit 1MARKING:D9 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Unit Limits Supply voltage VCC 50 VInput voltage VIN -6~40 VIO 70Output current mA IC(MAX) 100Power dissipation Pd 150(TOTAL) mWJunction temperature Tj 150 Storag
emd9fha umd9nfha imd9afra.pdf
EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRAEMD9 / UMD9N / IMD9ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R110kWEMD9UMD9NEMD9FHA UMD9NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)47kWSMT6(4)
emd9fha umd9nfha.pdf
EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRAEMD9 / UMD9N / IMD9ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R110kWEMD9UMD9NEMD9FHA UMD9NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)47kWSMT6(4)
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050