UMD9N - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

UMD9N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: UMD9N
   Маркировка: D9
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC88 SOT353

 Аналоги (замена) для UMD9N

 

UMD9N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  rohm
umd9n imd9a d9 sot23-6 sot363.pdfpdf_icon

UMD9N

UMD9N / IMD9A Transistors Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive) UMD9N / IMD9A Features External dimensions (Units mm) 1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a SMT package. UMD9N 1.25 2.1 Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit 0.1Min. Supply voltage VCC 50 V ROHM UMT6 EIAJ SC-88 Input voltage VIN -6 +40 V Each

 ..2. Size:140K  rohm
umd9n umt3904 sst3904 mmst3904 3.pdfpdf_icon

UMD9N

Digital Transistor (Dual Digital Transistors for Inverter Drive) EMD9 / UMD9N / IMD9A Features Dimensions (Unit mm) 1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a EMT EMD9 or UMT or SMT package. (4) (3) (5) (2) (6) (1) Inner circuit 1.2 1.6 EMD9 / UMD9N IMD9A (3) (2) (1) (4) (5) (6) R1 R2 R1 R2 Each lead has same dimensions DTr1 DTr1 DTr2 DTr2 ROHM EMT6

 ..3. Size:652K  htsemi
umd9n.pdfpdf_icon

UMD9N

UMD9N DIGITAL TRANSISTOR (NPN+PNP) SOT-363 FEATURES DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a package. External circuit 1 MARKING D9 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Unit Limits Supply voltage VCC 50 V Input voltage VIN -6 40 V IO 70 Output current mA IC(MAX) 100 Power dissipation Pd 150(TOTAL) mW Junction temperature Tj 150 Storag

 0.1. Size:1436K  rohm
emd9fha umd9nfha imd9afra.pdfpdf_icon

UMD9N

EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRA EMD9 / UMD9N / IMD9A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 10kW EMD9 UMD9N EMD9FHA UMD9NFHA (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kW SMT6 (4)

Другие транзисторы... UMD10N , PDTA115ES , PDTA115TK , PDTA115TS , UMD2N , UMD3N , UMD6N , PDTA123EEF , A1013 , UMG11N , PDTA123EK , PDTA123ES , UMG1N , UMG2N , UMG3N , UMG4N , UMG5N .

History: 2SA2125-TD-H

 

 
Back to Top

 


 
.