PDTA123ES datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA123ES  📄📄 

Маркировка: TA123E

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT-54

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTA123ES

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA123ES даташит

 ..1. Size:416K  nxp
 pdta123ee pdta123eef pdta123ek pdta123em pdta123es pdta123et pdta123eu.pdf pdf_icon

PDTA123ES

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 ..2. Size:139K  nxp
 pdta123eef pdta123ek pdta123es.pdf pdf_icon

PDTA123ES

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTA123E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Product data sheet 2004 Aug 02 Supersedes data of 2004 Apr 07 NXP Semiconductors Product data sheet PNP resistor-equipped transistors; PDTA123E series R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 6.1. Size:56K  motorola
 pdta123et 3.pdf pdf_icon

PDTA123ES

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA123ET PNP resistor-equipped transistor Product specification 1999 May 21 Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design 3 ndbook, 4 columns

 6.2. Size:183K  philips
 pdta123e series.pdf pdf_icon

PDTA123ES

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTA123E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Product data sheet 2004 Aug 02 Supersedes data of 2004 Apr 07 NXP Semiconductors Product data sheet PNP resistor-equipped transistors; PDTA123E series R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTA115TS, UMD2N, UMD3N, UMD6N, PDTA123EEF, UMD9N, UMG11N, PDTA123EK, 2SC2655, UMG1N, UMG2N, UMG3N, UMG4N, UMG5N, UMG6N, UMG8N, UMG9N